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AlN薄膜

簡要描述：AllN Epitxial范本saphhire提出了氫化物氣相外延（HVPE）的方法。氮化鋁薄膜又是成本效益的方法，用來取代氮化鋁單晶襯底?？凭д嬲\歡迎您的垂詢！

  • 產品型號：
  • 廠商性質：生產廠家
  • 更新時間：2025-02-10
  • 訪  問  量：2759

詳細介紹

產品名稱：

氮化鋁(AlN)薄膜

產品簡介：

AllN Epitxial范本saphhire提出了氫化物氣相外延（HVPE）的方法。氮化鋁薄膜又是成本效益的方法，用來取代氮化鋁單晶襯底?？凭д嬲\歡迎您的垂詢！

技術參數：

尺寸

 dia50.8mm±1mm

藍寶石襯底取向

 c軸（0001)±1.0deg

襯底：

 Al2O3;SiC;GaN

薄膜厚度：

10-5000nm

導電類型：

 半絕緣型

位錯密度：

XRD FWHM of <0002><500arcsec;

XRD FWHM of <10-12><1500arcsec;

有效面積：

>80%

拋光：

單拋光


  產品規格：


氮化鋁(藍寶石襯底)：dia2"*1500nm±10%


注：可根據客戶需求定制特殊的方向和尺寸。

標準包裝：

1000級超凈室，100級超凈袋或單片盒封裝


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