OTF-1200X-S-HPCVD是一款坩堝可爐管內移動(靠步進電機控制)的小型開啟式管式爐。爐管直徑為50mm,設備zui高工作溫度為1200℃。
設備特點:坩堝通過一步進電機控制爐管,按照設定程序移動,同時坩堝后端安裝一熱電偶(隨坩堝儀器移動),可實時監測樣品的溫度,意味著可通過移動坩堝的位置,在爐體中準確找到實驗所需要的溫度,使得實驗準確度更高,重復性更強。此款設備可用于多種實驗,比如HPCVD(hybrid physical chemical deposition),快速熱蒸發,也可用于水平布里奇曼(Bridgman)法來長晶體。
技術參數
高溫爐部分 | - 爐體設計為開啟式,以便于更換爐管
- 工作電源:208 - 240 VAC, 50/60Hz
- zui大功率為:2KW
- zui高工作溫度:1200℃(<1hr)
- 連續工作溫度:1100℃
- 加熱區長度:200mm
- 恒溫區長度:60mm(+/-1℃ @ 1000 ℃ )
- 爐管:高純石英管,尺寸50mm O.D x 44mm I.D x 450mm L)(點擊圖片查看詳細資料)
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溫度控制系統 | - 采用PID30段程序化控溫,其控溫精度為+/-1℃
- 控溫儀表操作視頻
- 設有過熱和斷偶保護
- 熱電偶采用K型熱電偶

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真空密封 | - 采用KF結構密封法蘭,硅膠密封圈密封
- 法蘭上安裝有一機械壓力表
- 左端法蘭與一個真空不銹鋼波紋管連接(不銹鋼波紋管zui大伸縮幅度為150mm)
- 真空度:10-2Torr(用機械泵抽) 10-5Torr(用分子泵抽)

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坩堝移動機構&PLC控制 | - 一個直徑為1/4"的歐米伽鎧裝熱電偶(K型),通過法蘭伸入到爐管中,并可隨坩堝移動,可實時監測樣品的實際溫度。
- 通過步進電機移動爐管內的坩堝(樣品臺),zui大行程為100mm,移動精度為1mm
- 通過觸摸屏設定坩堝一定的距離和目標位置,坩堝移動速度為180mm/min(更精確的移動速度,可與本公司定制,需額外收費)
- 可觀察下圖,了解坩堝與熱電偶的安裝方法

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zui大加熱速率和冷卻速率 | 可通過移動樣品到已預加熱的爐體中來得到zui大的加熱速率,也可將樣品迅速移除高溫的爐體,來得到zui大的降溫速率 zui大加熱速率 10℃/sec (150℃ - 250℃); 7℃/sec (250℃ - 350℃); 4℃/sec (350℃ - 500℃); 3℃/sec (500℃ - 550℃); 2℃/sec (550℃ - 650℃); 1℃/sec (650℃ - 800℃); 0.5℃/sec (800℃ - 1000℃); | zui大降溫速率 10℃/sec (950℃ - 900℃); 7℃/sec (900℃ - 850℃); 4℃/sec (850℃ - 750℃); 2℃/sec (750℃ - 600℃); 1.5℃/sec (600℃ - 500℃); 1℃/sec (500℃ - 400℃); 0.5℃/sec (400℃ - 300℃); | 
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可選配件 | - 可選購手動擋板閥(圖1)
- 防腐型數顯真空計(圖4)
- 快速連接法蘭,以方便于放置樣品(圖2)
- 多路質量流量計控制的混氣系統,用于CVD和DVD實驗(圖5)

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尺寸 |  |
質保 | 一年質保期,終生維護(不含加熱元件、爐管和密封圈) |
質量認證 | - CE認證
- 所有電器元件(>24V)都通過UL / MET / CSA認證
- 若客戶出認證費用,本公司保證單臺設備通過德國TUV認證或CAS認證
 
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注意事項 | - 爐管內氣壓不可高于0.02MPa
- 由于氣瓶內部氣壓較高,所以向爐管內通入氣體時,氣瓶上必須安裝減壓閥,建議在本公司選購減壓閥,本公司減壓閥量程為0.01MPa-0.1MPa,使用時會更加精確安全
- 當爐體溫度高于1000℃時,爐管內不可處于真空狀態,爐管內的氣壓需和大氣壓相當,保持在常壓狀態
- 進入爐管的氣體流量需小于200SCCM,以避免冷的大氣流對加熱石英管的沖擊
- 石英管的長時間使用溫度<1100℃
- 對于樣品加熱的實驗,不建議關閉爐管法蘭端的抽氣閥和進氣閥使用。若需要關閉氣閥對樣品加熱,則需時刻關注壓力表的示數,若氣壓表示數大于0.02MPa,必須立刻打開泄氣閥,以防意外發生(如爐管破裂,法蘭飛出等)
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應用 | - 此款設備可用于多種實驗,以下列出了幾種實驗方法
- RTE(快速熱蒸發):蒸發料放在坩堝中,放入到爐體中心,基片放在樣品臺上,樣品臺與熱電偶相連接,然后將樣品臺移動到理想的位置(此位置溫度是實驗所需要的溫度)
- HPCVD(混合物理化學沉積):與RTE相似,但需配混氣系統,對反應氣體混合并控制流量,同時也需設定蒸發料的位置(確定蒸發料的蒸發溫度)
- 水平布里奇曼(Bridgman)法來長晶體:將樣品和籽晶放入到坩堝中,并將坩堝放入到爐體中心位置,然后設定坩堝移動速度,慢慢移動坩堝
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