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PMN-PT晶體基片

簡要描述：PMN-PT晶體基片

  • 產品型號：
  • 廠商性質：生產廠家
  • 更新時間：2025-02-11
  • 訪  問  量：5861

詳細介紹

產品名稱：

PMN-PT晶體基片


產品簡介：

用改進的Bridgman法生長出了高質量的大尺寸弛豫鐵電單晶PMNT，該單晶具有優異的壓電性能、非線性光學性能和熱釋電性能，不僅可以滿足應用需要成為新一代高性能壓電換能器、非線性光學器件和光電探測器件(如紅外探測器)的核心材料，而且還為廣大的科研人員提供了良好的研究載體，歡迎國內外各科研院所和公司企業定購我們的單晶產品，進行相關的科學研究及器件研發和生產。


技術參數：

化學分子式:

(PbMg0.33Nb0.67O3 )1-x:(PbTiO3)x

結構:

R3m, Rhombohedral

晶格:

a0 ~4.024?(pseudo-cubic, varies with composition )

熔點:

1280 oC

密度：

8.1 g/cm3

壓電系數d33      

>2000 pC/N

軸接常數：

k33   (longitudinal mode)                >92%              

kt     (thickness mode)              59-62%            

k33’   (beam mode)                       84-88%

介電常數e  ：

4000 – 6000 (at 1kHz after poling) 

介電損耗：

tan d<0.9

居里溫度:

135-150°C

矯頑場大概：

2-3kV/cm 

標準尺寸：

25× 25× 1mm3 plates along [001]


產品規格：

常規晶向：<100>, <001>, <111>；

晶向公差：+/-0.5度；

常規尺寸：10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm，5x5x0.5mm,dia20x0.5mm

拋光情況：單拋或雙拋，Ra<5A

注：可按客戶需求定制相應的方向和尺寸。


典型性能：

產品名稱：

PMN-PT <001> 

密度：

8.1g/cm3

壓電常數d33：

1800-2400 Pc/N

耦合系數：

0.6-0.65Kt

耦合系數：

0.9-0.0.95kp

介電常數：

5000-7000

損耗：

<1

居里溫度：

145+/-3℃Zggx10（6）kg/m2s:29


標準包裝：

1000級超凈室，100級超凈袋封裝


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